M29W160FB70N3E
16 Mbit或32 Mbit 3 V供电闪存
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- M29W160FB70N3E
- 商品编号
- C19596052
- 商品封装
- TSOP-48
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 存储容量 | 16Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 6MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 块擦除时间(tBE) | 6s@(64KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；上电复位；电源锁定保护 |
商品特性
- 电源电压：VCC = 2.5 V 至 3.6 V（访问时间：80 ns）或 2.7 至 3.6 V（访问时间：70 ns），用于编程、擦除和读取；VPP = 12 V，用于快速编程（可选，仅 M29W320FT/B 可用）
- 访问时间：70、80 ns
- 编程时间：每字节/字典型值为 10 μs
- 内存组织：M29W160FT/B 有 35 个块，包括 1 个引导块（顶部或底部位置）、2 个参数块和 32 个主块；M29W320FT 有 67 个块，包括 1 个引导块（顶部或底部位置）、2 个参数块和 64 个主块
- 编程/擦除控制器：嵌入式字节/字编程算法；擦除暂停和恢复模式，可在擦除暂停期间读取和编程另一个块；解锁旁路编程命令，实现更快的生产/批量编程；VPP/WP 引脚用于快速编程和写保护（仅 M29W320FT/B 可用）；临时块解锁保护模式；通用闪存接口，64 位安全代码
- 低功耗：待机和自动待机模式
- 每块 100,000 次编程/擦除循环
- 封装：TSOP48 (N)，12×20 mm；TFBGA48 (ZA)，6×8 mm
- 电子签名：制造商代码 0020h；顶部设备代码 M29W160FT 为 22C4h，M29W320FT 为 22CAh；底部设备代码 M29W160FB 为 2249h，M29W320FB 为 22CBh
- 汽车设备 3 级：温度范围 -40 至 125°C，通过汽车级认证
- TSOP48 封装符合 RoHS 标准