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TSM033NA04LCR RLG

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM033NA04LCR RLG
商品编号: C19581008
商品封装: PDFN-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品特性

低RDS(ON),以最小化传导损耗
逻辑电平
低栅极电荷,实现快速功率开关
100% 进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)和 \mathsfRq 测试
符合欧盟指令 2011/65/EU 的 RoHS 标准,以及指令 2002/96/EC 的 WEEE 标准
根据 IEC 61249-2-21 标准,无卤

应用领域

无刷直流(BLDC)电机控制
电池电源管理
DC-DC 转换器
次级同步整流

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	连续漏极电流(Id)	141A
	导通电阻(RDS(on))	3.3mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	125W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V
	栅极电荷量(Qg)	23nC@10V

	属性	参数值
	输入电容(Ciss)	3.13nF
	反向传输电容(Crss)	137pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	670pF