M58LR256KB70ZC5W
M58LR256KB70ZC5W
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- M58LR256KB70ZC5W
- 商品编号
- C19562204
- 商品封装
- FBGA-79(9x11)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 电源电压：编程、擦除和读取时 VDD = 1.7 V ~ 2.0 V；I/O 缓冲器 VDDQ = 1.7 V ~ 2.0 V；快速编程时 VPP = 9 V
- 同步/异步读取：同步突发读取模式为 54 MHz、66 MHz；异步页读取模式；随机访问时间为 70 ns、85 ns
- 同步突发读取暂停
- 编程时间：使用缓冲增强工厂编程命令时，典型字编程时间为 2.5 μs
- 内存组织：M58LR128KT/B 采用 8 Mbit 存储体，M58LR256KT/B 采用 16 Mbit 存储体；参数块（顶部或底部位置）
- 双操作：一个存储体进行编程/擦除，其他存储体进行读取；读写操作之间无延迟
- 块锁定：上电时所有块锁定；任何块组合都可以零延迟锁定；使用 WP（上划线）进行块锁定；当 VPP = VSS 时提供绝对写保护
- 安全特性：64 位唯一设备编号；2112 位用户可编程 OTP 单元
- 通用闪存接口（CFI）：每个块 100,000 次编程/擦除循环
- 电子签名：制造商代码为 20h；M58LR128KT 顶部设备代码为 88C4h，M58LR256KT 为 880Dh；M58LR128KB 底部设备代码为 88C5h，M58LR256KB 为 880Eh