M25PX80-VMN6P
8Mb双I/O串行闪存嵌入式内存
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- M25PX80-VMN6P
- 商品编号
- C19562216
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 75MHz | |
| 工作电压 | 2.3V~3.6V | |
| 待机电流 | 50uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 写周期时间(Tw) | 15ms | |
| 页写入时间(Tpp) | 5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品特性
- 兼容SPI总线的串行接口
- 最高75MHz时钟频率
- 2.3V至3.6V单电源电压
- 双输入/输出指令，等效时钟频率达150MHz
- 双输出快速读取指令
- 双输入快速编程指令
- 8Mb闪存
- 统一的4KB子扇区
- 统一的64KB扇区
- 额外的64字节用户可锁定一次性可编程（OTP）区域
- 擦除能力
- 子扇区（4KB粒度）
- 扇区（64KB粒度）
- 整片擦除（8Mb），典型时间8s
- 写保护
- 软件写保护：适用于每个64KB扇区（易失性锁定位）
- 硬件写保护：受保护区域大小由非易失性位BP0、BP1、BP2定义
- 深度掉电：典型值5μA
- 电子签名
- JEDEC标准2字节签名（7114h）
- 可按需提供16字节只读空间的唯一ID代码（UID）
- 每个扇区超过100,000次写循环
- 数据保留超过20年
- 封装（符合RoHS标准）
- VFQFPN8（MP）6mm×5mm
- SO8W（MW）208mils
- SO8N（MN）150mils
- 提供汽车级部件