- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NAND01GW3B2BZA6E
1-Gbit、2-Gbit，2112字节/1056字页，1.8V/3V NAND闪存
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- NAND01GW3B2BZA6E
- 商品编号
- C19543286
- 商品封装
- VFBGA-63(9x11)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 30ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 10uA | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 坏块管理功能；硬件写保护功能；读缓存功能；电源锁定保护功能；ECC纠错功能；软件复位功能；复制回写功能 |
商品特性
- 高达2 Gbit的存储阵列
- 适用于大容量存储应用的高性价比解决方案
- x8或x16总线宽度
- 复用地址/数据
- 所有密度的引脚兼容
- 电源电压：1.8 V/3.0 V
- x8设备：(2048 + 64备用)字节
- x16设备：(1024 + 32备用)字
- x8设备：(128 K + 4 K备用)字节
- x16设备：(64 K + 2 K备用)字
- 随机访问：25 μs（最大）
- 顺序访问：30 ns（最小）
- 页面编程时间：200 μs（典型）
- 回写编程模式
- 缓存编程和缓存读取模式
- 快速块擦除：2 ms（典型）
- 状态寄存器
- 电子签名
- 芯片使能“无关紧要”
- 硬件块锁定
- 电源转换期间硬件编程/擦除锁定
- 每块100 000次编程/擦除周期（带ECC）
- 10年数据保留
- 纠错码模型
- 坏块管理和磨损均衡算法
- 硬件仿真模型
- SERDES03-40USB/NOPB
- MT28F400B3SG-8 T
- 2211YA250561KJTSYX
- ASTMUPCFL-33-156.250MHZ-EY-E-T
- EVAL6235N
- PVC6E205A01B00
- 1812YA250101JJRSYS
- ASTX-H12-44.000MHZ-I25-T
- CDR31BP1R5BCUSAJ
- CEP125-1R0MC-HD
- CPF240D25R
- MLH750PSP09B
- TDC106K050WSG-F
- THPM4601A
- 76203-002LF
- 87827-421HLF
- D381N5K
- DIP2415R
- HLMP-CW23-SV0DD
- KB16CKG01-5C-JB
- NMXD1215SOC