MT28F400B3SG-8 T

MT28F004B3 (x8)和MT28F400B3 (x16/x8)是非易失性、电可擦除（闪存）可编程存储设备，包含4,194,304位，组织为262,144字（16位）或524,288字节（8位）。设备的写入或擦除可使用3.3V或5V Vpp电压，而所有操作均在3.3V Vcc下执行。由于工艺技术的进步，5V Vpp对于应用和生产编程是最优的。这些设备采用美光先进的0.18μm CMOS浮栅工艺制造。

MT28F004B3和MT28F400B3被组织成七个可单独擦除的块。为确保关键固件免受意外擦除或覆盖，设备具有硬件保护的引导块。写入或擦除引导块需要向RP#引脚施加超电压或在执行正常写入或擦除序列之外将WP#驱动为高电平。该块可用于存储在低级系统恢复中实现的代码。其余块的密度不同，并且在没有额外安全措施的情况下进行写入和擦除。

MT28F004B3和MT28F400B3闪存设备具有许多非常适合系统固件的特性。存储阵列被分割成单独的擦除块。每个块可以在不影响其他块中存储的数据的情况下被擦除。这些存储块通过向命令执行逻辑（CEL）发送命令来进行读取、写入和擦除操作。CEL控制内部状态机（ISM）的操作，ISM完全控制所有写入、块擦除和验证操作。ISM保护每个存储位置免受过擦除，并优化每个存储位置以实现最大的数据保留。此外，ISM极大地简化了在系统内或外部编程器中写入设备所需的控制。

• 七个擦除块：16KB/8K字引导块（受保护）、两个8KB/4K字参数块、四个主存储块
• Smart 3技术（B3）：3.3V ± 0.3V VCC
• 3.3V ± 0.3V VPP应用编程
• 5V ± 10% VPP应用/生产编程
• 与0.3μm Smart 3设备兼容
• 先进的0.18μm CMOS浮栅工艺
• 地址访问时间：80ns
• 100,000次擦除循环
• 行业标准引脚排列
• 输入和输出完全与TTL兼容
• 自动写入和擦除算法
• 双周期写入/擦除序列
• 字节或字宽读取和写入（MT28F400B3，256K x 16/512K x 8）
• 仅字节宽读取和写入（MT28F004B3，512K x 8）
• TSOP和SOP封装选项