DS1250YL-70-IND

DS1250 4096K 非易失性 SRAM 是 4,194,304 位、全静态、非易失性 SRAM，组织形式为 524,288 字×8 位。每个非易失性 SRAM 都有一个独立的锂能源和控制电路，该电路持续监测 VCC 是否超出容差范围。当出现这种情况时，锂能源会自动开启，并且无条件启用写保护，以防止数据损坏。写周期次数没有限制，并且与微处理器接口不需要额外的支持电路。

• 无外部电源时，数据至少可保留 10 年，掉电时数据自动保护
• 无限次写周期
• 低功耗 CMOS
• 读写访问时间最快可达 70 ns
• 锂能源在首次通电前处于电气断开状态，以保持新鲜度
• 全 ±10% Vcc 工作范围（DS1250YL）
• 可选 ±5% VCC 工作范围（DS1250BL）
• 可选工业温度范围 -40°C ~ +85°C，标记为 IND
• JEDEC 标准 32 引脚 DIP 封装
• 薄型模块（LPM）封装
• 可适配标准 68 引脚 PLCC 表面贴装插座
• 封装高度 250 mil