CY14ME064J1A-SXIT
64-Kbit Serial (I2C) nvSRAM
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- CY14ME064J1A-SXIT
- 商品编号
- C19537907
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | nvSRAM(掉电保持) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 硬件写保护；软件块写保护；施密特触发输入；自动存储功能 |
商品概述
赛普拉斯CY14MX064J将64K位非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）与每个存储单元中的非易失性元件相结合。该存储器组织为8K个8位字。嵌入式非易失性元件采用了量子阱技术，造就了世界上最可靠的非易失性存储器。SRAM提供无限的读写周期，而量子阱单元则提供高度可靠的数据非易失性存储。数据从SRAM传输到非易失性元件（存储操作）在掉电时自动进行（CY14MX064J1A除外）。上电时，数据从非易失性存储器恢复到SRAM（恢复操作）。存储和恢复操作也可以由用户通过I²C命令启动。
商品特性
- 64K位非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）
- 内部组织为8K×8
- 掉电时自动启动向量子阱非易失性元件的存储操作（自动存储），或使用I²C命令（软件存储）
- 上电时启动向SRAM的恢复操作（上电恢复），或通过I²C命令（软件恢复）
- 掉电时使用小电容自动存储（CY14MX064J1A除外）
- 高可靠性
- 无限的读写和恢复周期
- 向量子阱进行100万次存储周期
- 数据保留：在85℃下20年
- 高速I²C接口
- 行业标准100kHz和400kHz速度
- 快速模式增强版：1MHz速度
- 高速：3.4MHz
- 零周期延迟读写
- 写保护
- 使用写保护（WP）引脚进行硬件保护
- 对1/4、1/2或整个阵列进行软件块保护
- 通过I²C访问特殊功能
- 非易失性存储/恢复
- 8字节序列号
- 制造商ID和产品ID
- 睡眠模式
- 低功耗
- 3.4MHz操作时平均工作电流为1mA
- 平均待机模式电流为120μA
- 睡眠模式电流为8μA
- 行业标准配置
- 工作电压：
- CY14MB064J：VCC = 2.7V至3.6V
- CY14ME064J：VCC = 4.5V至5.5V
- 工业温度范围
- 8引脚小外形集成电路（SOIC）封装
- 符合有害物质限制（RoHS）标准