PC28F256P33B2F TR
512Mb、1Gb、2Gb容量，65nm工艺P33闪存
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- PC28F256P33B2F TR
- 商品编号
- C19531829
- 商品封装
- EASYBGA-64(8x10)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 存储容量 | 256Mbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 时钟频率(fc) | 52MHz | |
| 工作电压 | 2.3V~3.6V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品特性
- 高性能
- 易封装BGA封装特点
- 512Mb、1Gb易封装BGA的初始访问时间为95ns
- 2Gb易封装BGA的初始访问时间为100ns
- 25ns的16字异步页读取模式
- 52MHz（易封装BGA），零等待状态和17ns时钟到数据输出的同步突发读取模式
- 突发模式有4字、8字、16字和连续字选项
- TSOP封装特点
- 512Mb、1Gb TSOP的初始访问时间为105ns
- 易封装BGA和TSOP封装共同特点
- 使用512字缓冲区，以2MB/s（典型值）的速度进行缓冲增强工厂编程（BEFP）
- 使用512字缓冲区，以1.46MB/s（典型值）的速度进行3.0V缓冲编程
- 架构
- MLC：以最低成本实现最高密度
- 对称块架构（512Mb、1Gb、2Gb）
- 非对称块架构（512Mb、1Gb）；四个32KB参数块：顶部或底部配置
- 128KB主块
- 空白检查以验证已擦除的块
- 电压和功率
- VCC（核心）电压：2.3 - 3.6V
- VCCQ（I/O）电压：2.3 - 3.6V
- 待机电流：512Mb为70μA（典型值）；1Gb为75μA（典型值）
- 52MHz连续同步读取电流：21mA（典型值），24mA（最大值）
- 安全
- 一次性可编程寄存器：64个OTP位，用美光的唯一信息编程；2112个OTP位可供客户编程
- 绝对写保护：VPP = VSS
- 电源转换擦除/编程锁定
- 单个零延迟块锁定
- 单个块锁定
- 密码访问
- 软件
- 25μs（典型值）编程暂停
- 25μs（典型值）擦除暂停
- 闪存数据集成器优化
- 基本命令集和扩展功能接口（EFI）命令集兼容
- 通用闪存接口
- 密度和封装
- 56引脚TSOP封装（512Mb、1Gb）
- 64球易封装BGA封装（512Mb、1Gb、2Gb）
- 16位宽数据总线
- 质量和可靠性
- 符合JESD47标准
- 工作温度：-40°C ~ +85°C
- 每个块最少100,000次擦除循环
- 65nm工艺技术