M29W256GL7AZS6F
M29W256GL7AZS6F
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- M29W256GL7AZS6F
- 商品编号
- C19534243
- 商品封装
- FBGA-64(11x13)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 存储容量 | 256Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 16us | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品特性
- 电源电压:
- VCC = 2.7 - 3.6V(编程、擦除、读取)
- VCCQ = 1.65 - 3.6V(I/O缓冲器)
- VPPH = 12V,用于快速编程(可选)
- 异步随机/页读取
- 页大小:8字或16字节
- 页访问时间:25ns、30ns
- 随机访问时间:60ns、70ns、80ns
- 快速编程命令:32字(64字节)写缓冲器
- 增强型缓冲编程命令:256字
- 编程时间:
- 每字节/字16μs(典型值)
- 芯片编程时间:使用VPPH时为10s,不使用VPPH时为16s
- 内存组织:
- 统一块:256个主块,每个128KB或64K字
- 编程/擦除控制器
- 嵌入式字节/字编程算法
- 编程/擦除暂停和恢复功能
- 在编程暂停操作期间可从任何块读取
- 在擦除暂停操作期间可读取或编程另一个块
- 解锁旁路、块擦除、芯片擦除、写入缓冲器和编程
- 快速缓冲/批量编程
- 快速块/芯片擦除
- VPP/WP#引脚保护
- 无论块保护设置如何,均可保护第一个或最后一个块
- 软件保护:
- 易失性保护
- 非易失性保护
- 密码保护
- 扩展内存块:
- 128字(256字节)内存块,用于永久、安全识别
- 可在工厂或由客户进行编程或锁定
- 通用闪存接口:
- 64位安全代码
- 低功耗:待机和自动模式
- 符合JESD47H标准
- 每个块最少100,000次编程/擦除周期
- 数据保留时间:20年(典型值)
- 采用65nm单级单元(SLC)工艺技术
- 采用强化BGA、TBGA和TSOP封装
- 提供“绿色”封装
- 符合RoHS标准
- 无卤
- 汽车设备等级(6)温度:-40°C ~ +85°C(汽车等级认证)
- 汽车设备等级(3)温度:-40°C ~ +125°C(汽车等级认证)
- M58WR032KB7AZB6F
- ASTMUPCFL-33-27.000MHZ-LJ-E-T3
- CPPT8-HT5RT
- GRM1555C1H1R4WZ01D
- SSQE48T07050-PABNG
- 1812JA250270KKTUYX
- HLMP-LB63-QSCZZ
- M2T18TXG13/328-DB
- RI-46IT
- SCX147-201
- 767141223G
- TW8834-TA2-EVALZ
- D38999/24JJ19JB-LC
- GRM1556P1HR90BD01D
- PLY10AS8720R7D2B
- 6983R100KDLF
- CDRH5D14HPNP-1R4NC
- DMT4D47K
- AHA477M06F24B-F
- PV36Y203A01B00
- S0603-82NH1S

