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IDT70824S35G

高速4Kx16位顺序访问随机存取存储器

品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: IDT70824S35G
商品编号: C19530567
商品封装: PGA-84(27.9x27.9)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)

	属性	参数值
	功能特性	自动掉电功能

商品概述

IDT70824是一款高速4K x 16位顺序访问随机存取存储器（SARAM）。SARAM提供了一种单芯片解决方案，可在一个端口上顺序缓冲数据，并通过另一个端口随机（异步）访问数据。该器件采用基于双端口RAM的架构，随机（异步）访问端口具有标准SRAM接口，顺序（同步）访问端口具有带计数器排序的时钟接口。

该存储器件采用CMOS高性能技术制造，在最高高速时钟到数据和随机访问时，通常功耗低于775mW。由CE（上划线）控制的自动掉电功能允许每个端口的片上电路进入极低的待机功耗模式。

IDT70824采用80引脚薄四方扁平封装（TQFP）或84引脚针栅阵列（PGA）封装。级产品按照MIL - PRF - 38535 QML的最新版本制造，非常适合对性能和可靠性要求极高的温度应用。

商品特性

高速访问
- 级：35/45ns（最大）
- 商业级：20/25/35/45ns（最大）
低功耗运行
- IDT70824S
  - 工作状态：775mW（典型）
  - 待机状态：5mW（典型）
- IDT70824L
  - 工作状态：775mW（典型）
  - 待机状态：1mW（典型）
4K x 16顺序访问随机存取存储器（SARAM）
- 一个端口顺序访问，另一个端口标准随机访问
- 随机访问端口有独立的高字节和低字节控制
- 高速运行
  - 随机访问端口tAA为20ns
  - 顺序端口tcd为20ns
  - 时钟周期时间为25ns
基于双端口RAM单元的架构，与英特尔BMC和82430 PCI套件兼容
宽度和深度可扩展
- 顺序侧有基于地址的标志用于缓冲控制
- 指针逻辑支持最多两个内部缓冲区
电池备份操作 - 2V数据保持
TTL兼容，单5V（±10%）电源
提供80引脚TQFP和84引脚PGA封装
产品符合MIL - PRF - 38535 QML标准
可选速度提供工业温度范围（-40°C ~ +85°C）

数据手册PDF

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