NAND16GW3F2AN6E
8Gbit、16Gbit、4224字节页、3V供电、多平面架构SLC NAND闪存
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- NAND16GW3F2AN6E
- 商品编号
- C19525228
- 商品封装
- TSOP-48
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 16Gbit | |
| 接口类型 | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 500us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 1.5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 待机电流 | - | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 硬件复位功能；坏块管理功能；硬件写保护功能；读缓存功能；电源锁定保护功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；复制回写功能 |
商品特性
- 高密度SLC NAND闪存
- 8、16 Gbit内存阵列
- 适用于大容量存储应用的高性价比解决方案
- 8位总线宽度
- 复用地址/数据
- 电源电压：VDD = 2.7至3.6 V
- 页面大小：(4096 + 128备用)字节
- 块大小：(256K + 8K备用)字节
- 多平面架构
- 阵列分为两个独立平面
- 所有操作可在两个平面上同时执行
- 页面读取/编程
- 随机访问：25 μs（最大）
- 顺序访问：25 ns（最小）
- 页面编程操作时间：500 μs（典型）
- 多平面编程时间（2页）：500~μs（典型）
- 回写编程
- 无延迟时间的自动块下载
- 快速块擦除
- 块擦除时间：1.5 ms（典型）
- 多平面块擦除时间（2块）：1.5 ms（典型）
- 状态寄存器
- 电子签名
- 芯片使能“无关紧要”
- TSOP48 12×20 mm（N）
- 数据保护
- 电源转换期间硬件编程/擦除锁定
- 安全特性
- 一次性可编程区域
- 序列号（唯一ID）
- 开发工具
- 纠错码模型
- 坏块管理和损耗均衡算法
- 硬件仿真模型
- 数据完整性
- 100,000次编程/擦除周期（带ECC）
- 10年数据保留
- 符合RoHS标准的封装
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