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PC28F256G18FE实物图
  • PC28F256G18FE商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PC28F256G18FE

128Mb、256Mb、512Mb、1Gb StrataFlash 存储器

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私有库下单最高享92折
品牌名称
micron(镁光)
商品型号
PC28F256G18FE
商品编号
C19467189
商品封装
EASYBGA-64(8x10)​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型Parallel
存储容量256Mbit
属性参数值
时钟频率(fc)133MHz
工作电压1.7V~2V
工作温度-30℃~+85℃

商品特性

  • 高性能读取、编程和擦除
  • 初始读取访问时间为96 ns
  • 零等待状态同步突发读取频率为108 MHz:时钟到数据输出时间为7 ns
  • 零等待状态同步突发读取频率为133 MHz:时钟到数据输出时间为5.5 ns
  • 支持8位、16位和连续字同步突发读取
  • 可编程等待配置
  • 客户可配置输出驱动器阻抗
  • 缓冲编程:每字2.0 μs(典型值),512 Mbit 65 nm
  • 块擦除:每块0.9 s(典型值)
  • 编程/擦除暂停时间为20 μs(典型值)
  • 架构:
    • 16位宽数据总线
    • 多级单元技术
    • 对称块阵列架构
    • 256 Kbyte擦除块
    • 1 Gbit器件:8个128 Mbit分区
    • 512 Mbit器件:8个64 Mbit分区
    • 256 Mbit器件:8个32 Mbit分区
    • 128 Mbit器件:8个16 Mbit分区
    • 编程时读取和擦除时读取
    • 用于分区/器件状态的状态寄存器
    • 空白检查功能
  • 质量和可靠性:
    • 扩展温度范围:-30°C 到 +85°C
    • 每块最少100,000次擦除循环
    • 65 nm工艺技术
  • 电源:
    • 核心电压:1.7 V - 2.0 V
    • I/O电压:1.7 V - 2.0 V
    • 512 Mbit、65 nm器件的待机电流:60 μA(典型值)
    • 深度掉电模式:2 μA(典型值)
    • 自动节能模式
    • 16字同步突发读取电流:108 MHz时为23 mA(典型值);133 MHz时为24 mA(典型值)
  • 软件:
    • 美光闪存数据集成器(FDI)优化
    • 兼容基本命令集(BCS)和扩展命令集(ECS)
    • 支持通用闪存接口(CFI)
  • 安全:
    • 一次性可编程(OTP)空间:64位唯一工厂器件标识符位,2112位用户可编程OTP位
    • 绝对写保护:VPP = GND
    • 电源转换擦除/编程锁定
    • 单个零延迟块锁定
    • 单个块锁定
  • 密度和封装:
    • 128 Mb、256 Mb、512 Mbit和1 Gbit
    • 地址 - 数据复用和非复用接口
    • 64球简易BGA封装

数据手册PDF