PC28F256G18FE
128Mb、256Mb、512Mb、1Gb StrataFlash 存储器
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- PC28F256G18FE
- 商品编号
- C19467189
- 商品封装
- EASYBGA-64(8x10)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 存储容量 | 256Mbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 时钟频率(fc) | 133MHz | |
| 工作电压 | 1.7V~2V | |
| 工作温度 | -30℃~+85℃ |
商品特性
- 高性能读取、编程和擦除
- 初始读取访问时间为96 ns
- 零等待状态同步突发读取频率为108 MHz:时钟到数据输出时间为7 ns
- 零等待状态同步突发读取频率为133 MHz:时钟到数据输出时间为5.5 ns
- 支持8位、16位和连续字同步突发读取
- 可编程等待配置
- 客户可配置输出驱动器阻抗
- 缓冲编程:每字2.0 μs(典型值),512 Mbit 65 nm
- 块擦除:每块0.9 s(典型值)
- 编程/擦除暂停时间为20 μs(典型值)
- 架构:
- 16位宽数据总线
- 多级单元技术
- 对称块阵列架构
- 256 Kbyte擦除块
- 1 Gbit器件:8个128 Mbit分区
- 512 Mbit器件:8个64 Mbit分区
- 256 Mbit器件:8个32 Mbit分区
- 128 Mbit器件:8个16 Mbit分区
- 编程时读取和擦除时读取
- 用于分区/器件状态的状态寄存器
- 空白检查功能
- 质量和可靠性:
- 扩展温度范围:-30°C 到 +85°C
- 每块最少100,000次擦除循环
- 65 nm工艺技术
- 电源:
- 核心电压:1.7 V - 2.0 V
- I/O电压:1.7 V - 2.0 V
- 512 Mbit、65 nm器件的待机电流:60 μA(典型值)
- 深度掉电模式:2 μA(典型值)
- 自动节能模式
- 16字同步突发读取电流:108 MHz时为23 mA(典型值);133 MHz时为24 mA(典型值)
- 软件:
- 美光闪存数据集成器(FDI)优化
- 兼容基本命令集(BCS)和扩展命令集(ECS)
- 支持通用闪存接口(CFI)
- 安全:
- 一次性可编程(OTP)空间:64位唯一工厂器件标识符位,2112位用户可编程OTP位
- 绝对写保护:VPP = GND
- 电源转换擦除/编程锁定
- 单个零延迟块锁定
- 单个块锁定
- 密度和封装:
- 128 Mb、256 Mb、512 Mbit和1 Gbit
- 地址 - 数据复用和非复用接口
- 64球简易BGA封装
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