- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PC28F640P30B85E
嵌入式闪存内存高性能、低功耗、灵活安全
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- PC28F640P30B85E
- 商品编号
- C19471939
- 商品封装
- EASYBGA-64(10x13)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 存储容量 | 64Mbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 时钟频率(fc) | 52MHz | |
| 工作电压 | 1.7V~2V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品特性
- 高性能
- 初始访问时间85 ns
- 零等待状态下可达52 MHz，17 ns时钟到数据输出的同步突发读取模式
- 25 ns异步页读取模式
- 4、8、16字和连续字突发模式
- 缓冲增强工厂编程（BEFP）速度为5 μs/字节（典型值）
- 1.8 V缓冲编程速度为7 μs/字节（典型值）
- 多级单元技术：以最低成本实现最高密度
- 非对称块架构
- 四个32 KB参数块：顶部或底部配置
- 128 KB主块
- VCC（核心）电压：1.7 V - 2.0 V
- VCCO（I/O）电压：1.7 V - 3.6 V
- 待机电流：64 Mbit时为20 μA（典型值）
- 4字同步读取电流：40 MHz时为13 mA（典型值）
- 工作温度：-40°C ~ +85°C
- 每块最少100,000次擦除循环
- ETOX™ VIII工艺技术
- 一次性可编程寄存器：
- 64位唯一工厂设备标识符
- 2112位用户可编程OTP位
- 主阵列中可选OTP空间：
- 四个预定义的128 KB块（顶部或底部配置）
- 全阵列OTP锁定
- 绝对写保护：VPP = VSS
- 电源转换擦除/编程锁定
- 单个零延迟块锁定
- 单个块锁定
- 软件：
- 20 μs（典型值）编程暂停
- 20 μs（典型值）擦除暂停
- Numonyx™闪存数据集成器优化
- 基本命令集和扩展命令集兼容
- 支持通用闪存接口
- 封装：
- 56引脚TSOP封装（64、128、256、512 Mbit）
- 64球Numonyx™简易BGA封装（64、128、256、512 Mbit）
- Numonyx™ QUAD+ SCSP封装（64、128、256、512 Mbit）
- 16位宽数据总线
- AS01708MR-SC-R
- 1808YA250471MJRSYS
- DSC1123CI2-270.0000
- D38999/20KD97JD-LC
- GQM1885C2A1R8WB01J
- UUH1C102MNQ1MS
- 93992-427HLF
- AT25320AN-10SI-1.8-T
- D38999/24FH21SE-LC
- H-3000L
- HKQ04020N7C-T
- 68690-434HLF
- ASTMUPCFL-33-50.000MHZ-EJ-E-T
- GRM1556P1H7R2CZ01D
- MEM2012W121R
- 1808JA250820JGRSYX
- 742C083472JTR
- DE2B3KY101KJ3BU02F
- DSB15IM30UC-TRL
- HLMP-HH63-TX0DD
- 4610X-102-392