BQ4016YMC-70

bq4016是CMOS工艺的8388608位非易失性静态RAM，组织形式为1048576字×8位。集成控制电路与锂能源提供可靠的非易失性，同时具备标准SRAM的无限写入周期。控制电路持续监测单路5V电源是否超出容差范围。当VCC超出容差时，SRAM会被无条件写保护，防止意外写入操作。此时集成能源接通，维持存储内容直到VCC恢复正常电平。bq4016采用极低待机电流的CMOS SRAM，搭配小型锂扣式电池提供非易失性，不存在与EEPROM相关的长写入周期和写入周期限制。bq4016拥有与行业标准SRAM相同的接口，无需外部电路。当电源有效时，bq4016作为标准CMOS SRAM工作。在掉电和上电周期中，bq4016作为非易失性存储器，自动保护并保存存储内容。掉电/上电控制电路持续监测VCC电源的掉电检测阈值VPFD。bq4016的VPFD典型值为4.62V，适用于电源容差为5%的系统。bq4016Y的VPFD典型值为4.37V，适用于电源容差为10%的系统。当VCC低于VPFD阈值时，SRAM自动对数据进行写保护。所有输出变为高阻抗，所有输入视为无关。如果掉电检测时正在进行有效访问，存储周期会继续完成。如果存储周期未能在tWPT时间内终止，则启动写保护。当VCC下降经过VPFD并接近3V时，控制电路切换到内部锂备份电源，维持数据保存直到VCC恢复有效电平。当VCC回升到高于内部备份电池电压后，电源切换回VCC供电。VCC爬升超过VPFD阈值后，写保护会继续维持tCER（最大120ms）时间，以允许处理器稳定，之后可恢复正常存储器操作。bq4016使用的内部扣式电池具有极长的存储寿命。在无系统电源的情况下，bq4016可提供超过10年的数据保存时间。出厂时，内部锂电池与存储器电气隔离，该状态下自放电约为 0.5% 每年。在首次接入VCC后，隔离解除，锂备份可在后续掉电时提供数据保存。

• 断电状态下可保存数据
• 上电/掉电周期中自动写保护
• 常规SRAM操作；无限写入周期
• 断电状态下最小数据保存时间为10年
• 接入电源前内部电池处于隔离状态