BQ4014MB-85

CMOS bq4014是一款非易失性静态RAM，总容量为2097152位，组织形式为262144字×8位。集成控制电路和锂能源结合，既提供可靠的非易失性，又具备标准SRAM的无限写入次数。控制电路持续监测单5V电源是否出现超出容限的情况。当VCC跌落至容限以外，SRAM会被无条件写保护，防止意外写入操作。此时集成能源会被接通，维持存储器数据直到VCC恢复正常。bq4014采用极低待机电流的CMOS SRAM，搭配小型锂纽扣电池提供非易失性，不存在EEPROM所具有的长写入周期和写入次数限制。bq4014无需外部电路，与行业标准的2Mb SRAM引脚输出兼容。当电源正常时，bq4014作为标准CMOS SRAM工作。在掉电和上电周期中，bq4014作为非易失性存储器，自动保护并保存存储内容。掉电/上电控制电路持续监测VCC电源，检测电源失效阈值VPFD。bq4014的典型VPFD为4.62V，适用于电源容差为5%的系统；bq4014Y的典型VPFD为4.37V，适用于电源容差为10%的系统。当VCC跌落至VPFD阈值以下，SRAM自动对数据进行写保护。所有输出变为高阻抗，所有输入视为"无关"。如果电源失效检测时正在进行有效访问，存储周期会继续直到完成。如果存储周期未能在tWPT时间内终止，将触发写保护。当VCC跌落过VPFD并接近3V时，控制电路切换到内部锂备份电源，维持数据直到VCC恢复有效。当VCC回升至高于内部备份电池电压后，电源切换回VCC供电。VCC爬坡超过VPFD阈值后，写保护会继续维持最长120ms（tCER），以允许处理器稳定，这段时间过后可恢复正常存储操作。bq4014使用的内置纽扣电池具有极长的保存期限，在系统掉电情况下可提供超过10年的数据保存时间。出厂时，内置锂电池与存储器电气隔离，该状态下自放电大约为每年0.5%，在首次施加VCC后，隔离解除，锂备份可在后续掉电时提供数据保存。

• 断电情况下可保留数据
• 上电/掉电周期期间自动写保护
• 采用行业标准32引脚 256K x 8 引脚输出
• 常规SRAM操作；无限写入次数
• 断电情况下最小数据保留时间为10年
• 通电前电池内部处于隔离状态