- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT29F2G16AADWP-ET:D
MT29F2G16AADWP-ET:D
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT29F2G16AADWP-ET:D
- 商品编号
- C19385287
- 商品封装
- TSOPI-48
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 接口类型 | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 1.65V~1.95V | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 300us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 500us | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 100uA | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；软件复位功能；复制回写功能 |
商品特性
- 符合开放NAND闪存接口（ONFI）1.0标准
- 单级单元（SLC）技术
- 组织架构：
- 页面大小：
- x8：2112字节（2048 + 64字节）
- x16：1056字（1024 + 32字）
- 块大小：64页（128K + 4K字节）
- 设备容量：2Gb，共2048块
- 页面大小：
- 读取性能：
- 随机读取：25μs
- 顺序读取：25ns（3.3V）
- 顺序读取：35ns（1.8V）
- 写入性能：
- 页面编程：220μs（典型值，3.3V）
- 页面编程：300μs（典型值，1.8V）
- 块擦除：500μs（典型值）
- 数据保留时间：10年
- 耐久性：100000次编程/擦除循环
- 出厂时保证第一个块（块地址00h）在使用ECC时有效
- 行业标准基本NAND闪存命令集
- 高级命令集：
- 页面编程缓存模式
- 页面读取缓存模式
- 一次性可编程（OTP）命令
- 块锁定（仅1.8V）
- 可编程驱动强度
- 读取唯一ID
- 操作状态字节提供软件方法来检测：
- 操作完成情况
- 通过/失败状态
- 写保护状态
- 就绪/忙#（R/B#）信号提供硬件方法来检测操作完成情况
- WP#信号：对整个设备进行写保护
- 上电后第一个命令需要复位
- 支持内部数据移动操作
- 上电后有另一种设备初始化方法（Nand_Init）（联系厂家）
- 密度：2Gb（单芯片）
- 设备宽度：x8、x16
- 配置：
- 芯片数量：1
- CE#数量：1
- R/B#数量：1
- I/O：共用
- VCC：2.7 - 3.6V
- VCC：1.65 - 1.95V
- 封装：
- 48引脚TSOP I型CPL（无铅电镀，仅3.3V）
- 63球VFBGA（无铅，仅1.8V）
- 工作温度：
- 商业级（0°C ~ +70°C）
- 扩展级（-40°C ~ +85°C）