MT29F16G08DAAWP-ET:A
MT29F16G08DAAWP-ET:A
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT29F16G08DAAWP-ET:A
- 商品编号
- C19389186
- 商品封装
- TSOPI-48
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | - | |
| 接口类型 | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | - | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 待机电流 | - | |
| 擦写寿命 | - | |
| 功能特性 | 硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；软件复位功能；复制回写功能 |
商品特性
- 单级单元（SLC）技术
- 组织架构：
- 页面大小x8：2112字节（2048 + 64字节）
- 块大小：64页（128K + 4K字节）
- 平面大小：2048块
- 设备容量：4Gb：4096块；8Gb：8192块；16Gb：16384块
- 读取性能：
- 随机读取：最大25μs
- 顺序读取：最小25ns
- 写入性能：
- 页面编程：典型220μs
- 块擦除：典型1.5ms
- 数据保留时间：10年
- 耐久性：100000次编程/擦除循环
- 第一个块（块地址00h）保证在1000次编程/擦除循环内有效
- 行业标准基本NAND闪存命令集
- 高级命令集：
- 页面编程缓存模式
- 页面读取缓存模式
- 一次性可编程（OTP）命令
- 双平面命令
- 交错管芯操作
- 读取唯一ID（联系厂家）
- 读取ID2（联系厂家）
- 操作状态字节提供一种软件方法来检测：
- 操作完成情况
- 通过/失败状态
- 写保护状态
- 就绪/忙#（R/B#）信号提供一种硬件方法来检测操作完成情况
- WP#信号：对整个设备进行写保护
- 上电后需要复位
- 支持在读取数据的平面内进行内部数据移动操作
- 密度：
- 4Gb（单管芯）
- 8Gb（双管芯堆叠，1个CE#）
- 8Gb（双管芯堆叠，2个CE#）
- 16Gb（四管芯堆叠）
- 设备宽度：x8
- 配置：
- VCC：2.7 - 3.6V
- 封装：
- 48引脚TSOP I型（无铅镀层）
- 48引脚TSOP I型OCPL（无铅镀层）
- 工作温度：
- 商用（0°C ~ +70°C）
- 扩展（-40°C ~ +85°C）