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M29W800DB70ZE6E

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品牌名称: micron(镁光)
商品型号: M29W800DB70ZE6E
商品编号: C19374003
商品封装: TFBGA-48(6x8)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

M29W800是8 - Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16) 非易失性存储器，可进行读取、擦除和重新编程操作。上电时，存储器默认进入读取模式，可像ROM或Eprom一样读取。存储器被划分为可独立擦除的块，可在擦除旧数据时保留有效数据。每个块可独立保护，防止意外的编程或擦除命令修改存储器。编程和擦除命令写入存储器的命令接口。片上编程/擦除算法处理所有更新存储器内容所需的特殊操作。控制存储器所需的命令集与JEDEC标准一致。

商品特性

VCC = 2.7 V to 3.6 V
访问时间：45, 70, 90 ns
编程时间：每字节/字典型值为10 μs
19个存储块，1个引导块（顶部或底部），2个参数块和16个主块
嵌入式字节/字编程算法
可暂停，可读取和编程另一个块，擦除暂停
解锁旁路编程命令
通用接口，4 - bit安全代码
低功耗，待机和自动模式
100,000次编程/擦除循环
电子签名，制造商代码：0020h

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	并口
	存储容量	8Mbit
	工作电压	2.7V~3.6V
	待机电流	100uA

	属性	参数值
	擦写寿命	100000次
	块擦除时间(tBE)	800ms@(64KB)
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-40℃~+85℃