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M29W640GB70ZF3F实物图
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M29W640GB70ZF3F

M29W640GB70ZF3F

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品牌名称
micron(镁光)
商品型号
M29W640GB70ZF3F
商品编号
C19374417
商品封装
BGA-64(10x13)​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型Parallel
存储容量64Mbit
工作电压2.7V~3.6V
属性参数值
待机电流100uA
擦写寿命100000次
写周期时间(Tw)70ns
工作温度-40℃~+125℃

商品特性

  • 电源电压:
    • VCC = 2.7 - 3.6V(编程、擦除、读取)
    • VPP = 12V 用于快速编程(可选)
  • 异步随机/页读取
  • 页宽度:4 字
  • 页访问时间:25ns
  • 随机访问时间:60ns、70ns、90ns
  • 快速编程命令
  • 2 字/4 字节编程(无需 VPP = 12V)
  • 4 字/8 字节编程(VPP = 12V)
  • 16 字/32 字节写缓冲区
  • 编程时间:
    • 每字节/字典型值为 10μs
    • 芯片编程时间:10s(4 字编程)
    • 双字/四字节编程
  • 内存组织:
    • M29W640GH/L 有 128 个主块,每个 64KB
    • M29W640GT/B 有 127 个主块,每个 64KB,8 个引导块,每个 8KB
  • 编程/擦除控制器:
    • 嵌入式字节/字编程算法
    • 编程/擦除暂停和恢复
    • 在编程暂停操作期间可从任何块读取
    • 在擦除暂停操作期间可读取或编程另一个块
  • 硬件块保护:
    • VPP/WP# 引脚用于快速编程和写保护
    • 临时块解锁模式
  • 通用闪存接口:
    • 64 位安全代码
    • 128 字扩展内存块
    • 额外块用作安全块或存储额外信息
  • 低功耗:待机和自动模式
  • 每个块 100,000 次编程/擦除循环
  • 电子签名:
    • 制造商代码:0020h
  • 器件摘要:部件编号和器件代码:
    • M29W640GH:统一,最后一个块由 VPP/WP# 保护
    • 227Eh + 220Ch + 2201h
    • M29W640GL:统一,第一个块由 VPP/WP# 保护
    • 227Eh + 220Ch + 2200h
    • M29W640GT:顶部引导块
    • 227Eh + 2210h + 2201h
    • M29W640GB:底部引导块
    • 227Eh + 2210h + 2200h
  • 符合 RoHS 标准的封装:
    • 48 引脚 TSOP(N/NA)12mm×20mm
    • 56 引脚 TSOP(NB)14mm×20mm
    • 48 球 TFBGA(ZA)6mm×8mm
    • 64 球 FBGA(ZS)11mm×13mm
    • 64 球 TBGA(ZF)10mm×13mm
  • 提供汽车认证部件

数据手册PDF