MT28F800B3WG-9 T

8Mb SMART 3 启动块闪存

品牌名称: micron(美光)
商品型号: MT28F800B3WG-9 T
商品编号: C19347074
商品封装: TSOPI-48
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

MT28F008B3（x8）和MT28F800B3（x16/x8）是低压、非易失性、电可块擦除（闪存）可编程存储设备，包含8388608位，组织为524288字（16位）或1048576字节（8位）。设备的写入和擦除使用3.3V或5V的VPP电压，而所有操作均使用3.3V的VCC。由于工艺技术的进步，5V VPP对于应用和生产编程是最优的。这些设备采用美光先进的0.18μm CMOS浮栅工艺制造。MT28F008B3和MT28F800B3被组织成11个可单独擦除的块。为确保关键固件免受意外擦除或覆盖，设备具有硬件保护的引导块。该块可用于存储在低级系统恢复中实现的代码。其余块的密度不同，且在写入和擦除时无需额外的安全措施。

商品特性

十一个擦除块：16KB/8K字引导块（受保护）、两个8KB/4K字参数块、八个主存储块
Smart 3技术（B3）：VCC为3.3V ±0.3V；3.3V ±0.3V VPP应用编程；5V ±10% VPP应用/生产编程；与0.3μm Smart 3设备兼容
先进的0.18μm CMOS浮栅工艺
地址访问时间：90ns
100000次擦除循环
行业标准引脚排列
输入和输出完全与TTL兼容
自动写入和擦除算法
双周期写入/擦除序列
提供TSOP、SOP和FBGA封装选项
字节或字宽的读取和写入（MT28F800B3：1M x 8/512K x 16）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	Parallel
	存储容量	8Mbit
	时钟频率(fc)	-
	工作电压	3V~3.6V
	待机电流	8uA
	擦写寿命	100000次

	属性	参数值
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	-
	块擦除时间(tBE)	-
	数据保留 - TDR(年)	-
	工作温度	0℃~+70℃
	功能特性	-