M29W400DB70N6T

M29W400D是一款4 Mbit（512 K x 8或256 K x 16）的非易失性存储器，可进行读取、擦除和重新编程操作。这些操作可通过单一低压（2.7 ~ 3.6 V）电源实现。上电时，存储器默认进入读取模式，可像ROM或EPROM一样进行读取。 该存储器被划分为多个可独立擦除的块，因此在擦除旧数据时可以保留有效数据。每个块可独立进行保护，以防止意外的编程或擦除命令修改存储器内容。编程和擦除命令通过存储器的命令接口写入。片上编程/擦除控制器可简化存储器的编程或擦除过程。

• 电源电压：编程、擦除和读取时VCC为2.7 ~ 3.6 V
• 访问时间：45、55、70 ns
• 编程时间：每字节/字典型值为10 μs
• 11个存储块：1个引导块（顶部或底部位置）、2个参数块和8个主块
• 编程/擦除控制器：嵌入式字节/字编程算法，具备擦除暂停和恢复模式，可在擦除暂停期间读取和编程另一个块
• 解锁旁路编程命令：加快生产/批量编程速度
• 临时块解除保护模式
• 低功耗：待机和自动待机模式
• 每个块可进行100,000次编程/擦除循环
• 电子签名：制造商代码为0020h，顶部器件代码M29W400DT为00EEh，底部器件代码M29W400DB为00EFh
• RoHS封装
• 汽车级3级器件：温度范围为 -40 ~ 125°C，通过汽车级认证
• 封装类型：SO44 (M)(1)、TSOP48 (N)（尺寸12×20 mm）、TFBGA48 (ZA)(1)（尺寸6×9 mm）、TFBGA48 (ZE)（尺寸6×8 mm） 注：这些封装已不再大规模生产。