DS1345BL-100

DS1345 1024K 非易失性 SRAM 是 1,048,576 位的全静态非易失性 SRAM，组织形式为 131,072 字×8 位。每个非易失性 SRAM 都有一个独立的锂能源和控制电路，该电路持续监测 VCC 是否超出容限范围。当出现这种情况时，锂能源会自动开启，并且无条件启用写保护以防止数据损坏。此外，DS1345 器件还具备用于监测 VCC 状态和内部锂电池状态的专用电路。执行的写周期次数没有限制，并且与微处理器接口不需要额外的支持电路。这些器件可替代 128K×8 SRAM、EEPROM 或闪存组件。DS1345 器件采用薄型模块封装，专为表面贴装应用而设计。

• 内置锂电池可提供超过 10 年的数据保留时间
• 在 VCC 掉电时自动保护数据
• 电源监视器在 VCC 掉电时复位处理器，并在 VCC 上升期间使处理器保持复位状态
• 电池监视器每天检查剩余电量
• 读写访问时间最快可达 70 ns
• 写周期耐久性无限制
• 典型待机电流为 50 μA
• 可作为 128K×8 SRAM、EEPROM 或闪存器件的升级产品
• 锂电池在首次通电前电气断开，以保持其新鲜度
• 全 ±10% VCC 工作范围（DS1345YL）或可选的 ±5% VCC 工作范围（DS1345BL）
• 薄型模块封装可适配标准 68 引脚表面贴装 PLCC 插座
• 可选的工业温度范围为 -40°C 至 +85°C，标记为 IND