DS1258AB-70
128k x 16非易失性SRAM
- 商品型号
- DS1258AB-70
- 商品编号
- C19325645
- 商品封装
- EDIP-40
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | nvSRAM(掉电保持) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动存储功能；低电压自动写保护 |
商品概述
DS1258 128k x 16 非易失性（NV）SRAM 是 2,097,152 位全静态非易失性 SRAM，组织形式为 131,072 字 x 16 位。每个非易失性 SRAM 都有一个独立的锂能源和控制电路，该电路持续监测 VCC 是否超出容差范围。当出现这种情况时，锂能源会自动开启，并且无条件启用写保护以防止数据损坏。双列直插式封装的 DS1258 器件可替代通过使用各种分立元件构建 128k x 16 非易失性存储器的解决方案。写周期次数没有限制，并且微处理器接口不需要额外的支持电路。
商品特性
- 无外部电源时，数据至少可保留 10 年
- 掉电时数据自动保护
- 独立的高字节和低字节片选输入
- 无限次写周期
- 低功耗 CMOS
- 读写访问时间最快可达 70ns
- 首次通电前，锂能源电气断开以保持新鲜度
- 全 ±10% 工作范围（DS1258Y）
- 可选 ±5% 工作范围（DS1258AB）
- 可选工业温度范围 -40°C 至 +85°C，标记为 IND