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STK12C68-C35实物图
  • STK12C68-C35商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

STK12C68-C35

64 Kbit (8K x 8) AutoStore nvSRAM

商品型号
STK12C68-C35
商品编号
C19317726
商品封装
CDIP-28​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

暂无内容图标

参数完善中

商品概述

Cypress STK12C68是一种快速静态随机存取存储器(SRAM),每个存储单元都包含一个非易失性元件。嵌入式非易失性元件采用了QuantumTrap技术,造就了世界上最可靠的非易失性存储器。SRAM提供无限的读写周期,而独立的非易失性数据则存储在高度可靠的QuantumTrap单元中。在断电时,数据会自动从SRAM传输到非易失性元件(存储操作)。上电时,数据会从非易失性存储器恢复到SRAM(恢复操作)。存储和恢复操作也可以在软件控制下进行。硬件存储操作通过HSB引脚启动。

STK12C68非易失性SRAM由两个功能组件组成,它们配对在同一个物理单元中,即SRAM存储单元和非易失性QuantumTrap单元。SRAM存储单元作为标准的快速静态随机存取存储器运行。SRAM中的数据可以传输到非易失性单元(存储操作),也可以从非易失性单元传输到SRAM(恢复操作)。这种独特的架构能够并行存储和恢复所有单元。在存储和恢复操作期间,SRAM的读写操作会被禁止。STK12C68支持无限次的读写操作,类似于典型的SRAM。此外,它还提供从非易失性单元进行无限次的恢复操作,以及多达一百万次的存储操作。

商品特性

  • 访问时间为25 ns、35 ns和45 ns
  • 搭配外部68 μF电容,断电时自动存储数据,无需人工干预
  • 存储到QuantumTrap非易失性元件的操作可由软件、硬件或断电时自动存储功能启动
  • 恢复到SRAM的操作可由软件或上电启动
  • 读写和恢复周期无限
  • 向QuantumTrap进行100万次存储周期
  • QuantumTrap数据保留100年
  • 单5 V ± 10%电源供电
  • 适用于商业和工业温度范围
  • 提供228引脚(330密耳)SOIC、28引脚(300密耳)PDIP、28引脚(600密耳)PDIP封装
  • 提供28引脚(300密耳)CDIP和28焊盘(350密耳)LCC封装
  • 符合RoHS标准

数据手册PDF