CY14B512I-SFXIT

512-Kbit串行nvSRAM与实时时钟

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: CY14B512I-SFXIT
商品编号: C19321321
商品封装: SOIC-16
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	nvSRAM(掉电保持)

	属性	参数值
	功能特性	硬件写保护；软件块写保护；自动存储功能

商品概述

赛普拉斯CY14C512I/CY14B512I/CY14E512I在具有串行I²C接口的单片集成电路中将512 Kbit的nvSRAM与功能齐全的RTC相结合。该存储器组织为64 K个8位字。嵌入式非易失性元件采用了QuantumTrap技术，造就了世界上最可靠的非易失性存储器。SRAM提供无限的读写周期，而QuantumTrap单元则提供高度可靠的数据非易失性存储。在断电时，数据会自动从SRAM传输到非易失性元件（存储操作）。上电时，数据会从非易失性存储器恢复到SRAM（召回操作）。存储和召回操作也可以由用户通过I²C命令启动。

商品特性

512 Kbit非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）
内部组织为64 K×8
断电时自动启动将数据存储到QuantumTrap非易失性元件（自动存储），或使用I²C命令（软件存储）或HSB引脚（硬件存储）
上电时启动将数据从非易失性元件召回至SRAM（上电召回），或使用I²C命令（软件召回）
断电时使用小电容自动存储
高可靠性
无限的读写和召回周期
向QuantumTrap进行100万次存储周期
数据保留：在85℃下可保存20年
实时时钟（RTC）
功能齐全的RTC
看门狗定时器
带可编程中断的时钟警报
备用电源故障指示
具有可编程频率的方波输出（1 Hz、512 Hz、4096 Hz、32.768 kHz）
RTC使用电容或电池备份
典型备用电流为0.45 μA
高速I²C接口
行业标准的100 kHz和400 kHz速度
快速模式Plus 1 MHz速度
高速3.4 MHz
零周期延迟读写
写保护
使用写保护（WP）引脚进行硬件保护
对四分之一、二分之一或整个阵列进行软件块保护
通过I²C访问特殊功能
非易失性存储/召回
8字节序列号
制造商ID和产品ID
睡眠模式
低功耗
在3.4 MHz操作下平均工作电流为1 mA
平均待机模式电流为250 ~ μA
睡眠模式电流为8 μA
行业标准配置
工作电压：
CY14C512I：VCC = 2.4 V至2.6 V
CY14B512I：VCC = 2.7 V至3.6 V
CY14E512I：VCC = 4.5 V至5.5 V
工业温度范围
16引脚小外形集成电路（SOIC）封装
符合有害物质限制（RoHS）标准

数据手册PDF

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