N25Q256A11EF840F
N25Q256A11EF840F
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- N25Q256A11EF840F
- 商品编号
- C19304491
- 商品封装
- VDFPN-8(MLP8)(6x8)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 256Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 108MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.7V~2V | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品特性
- 兼容SPI的串行总线接口
- 双倍传输速率(DTR)模式
- 1.7 - 2.0V单电源电压
- 单传输速率(STR)模式下,所有协议支持最高108 MHz时钟频率
- DTR模式下,所有协议支持最高54 MHz时钟频率
- 双/四I/O指令可将吞吐量提高至54 MB/s
- 支持的协议:扩展SPI、双I/O和四I/O,所有协议均支持DTR模式
- 三种协议均支持就地执行(XIP)模式
- 可通过易失性或非易失性寄存器进行配置,使存储器在上电后可直接在XIP模式下工作
- 支持编程/擦除暂停操作,可通过单条命令连续读取整个存储器
- 快速读取,包括四输出或双输出快速读取、四I/O或双I/O快速读取
- 灵活适配应用,可配置空周期数和输出缓冲区
- 软件复位,部分型号有额外的RESET#引脚
- 支持3字节和4字节寻址模式
- 有64字节、用户可锁定的一次性可编程(OTP)专用区域
- 擦除能力:支持4KB均匀粒度块的子扇区擦除、64KB均匀粒度块的扇区擦除和全芯片擦除
- 写保护:通过易失性锁定位对每个64KB扇区进行软件写保护;硬件写保护,保护区域大小由五个非易失性位(BP0、BP1、BP2、BP3和TB)定义;可按需提供额外的智能保护
- 电子签名:符合JEDEC标准的2字节签名(BB19h),17字节只读唯一ID,包括用于识别设备工厂选项的额外扩展设备ID(EDID)和定制工厂数据
- 每个扇区最少100,000次擦除循环,数据保留时间超过20年
- 封装符合JEDEC标准,均符合RoHS要求,包括V - PDFN - 8/8mm x 6mm(也称为SON、DFPN、MLP、MLF)、SOP2 - 16/300 mil(也称为SO16W、SO16 - Wide、SOIC - 16)、T - PBGA - 24b05/6mm x 8mm(也称为TBGA24)
- M29F200FT5AM6F2
- RPE5C1H121J2S1A03A
- TA-64.000MCE-T
- LB16SKG01-05-FJ
- A22L-TR-12A-10M
- C0603C0G1E0R5W
- EM-27692-C39
- EM513GP-AP
- GRM1885C1H4R8CZ01D
- PPT2-0500GKW2VS
- YB25SKG01-12-CB
- 1812YA250220KGTSYS
- 5SF 200-R
- ASTMUPCV-33-19.200MHZ-EJ-E-T
- ECO-S1CP123CA
- GMD31200
- TV07DZ-13-32PD-LC
- CAT28C16AXI-90T
- FXTC-HE73PR-2.048 MHZ
- ST150PG2SPCF
- 06643.15ZRLL
