Name: micron(美光) N25Q064A13ESED0F
Brand: micron(美光)
SKU: C19304772
Price: 8.06 CNY
Availability: OutOfStock

兼容SPI的串行总线接口，最高时钟频率108 MHz
单电源电压2.7 - 3.6V
双/四I/O指令可将吞吐量提高至432 MHz
支持扩展SPI、双I/O和四I/O协议
三种协议均支持即取即用（XIP）模式
可通过易失性或非易失性寄存器进行配置
使存储器在上电后可直接在XIP模式下工作
支持编程/擦除暂停操作
可通过单条命令连续读取整个存储器
快速读取功能
四输出或双输出快速读取
四I/O或双I/O快速读取
灵活适配应用
可配置空周期数
输出缓冲区可配置
64字节、用户可锁定的一次性可编程（OTP）专用区域
HOLD#功能禁用：特定型号可用
擦除能力：
- 4KB统一粒度块的子扇区擦除
- 32KB统一粒度块的子扇区擦除
- 64KB统一粒度块的扇区擦除
- 全芯片擦除
增强的编程/擦除操作速度：
- 页编程：典型值0.2 ms
- 64KB扇区擦除：典型值300 ms
- 32KB子扇区擦除：典型值160 ms
- 4KB子扇区擦除：典型值50 ms
- 整片擦除：典型值26 s
写保护：
- 可通过易失性锁定位对每个64KB扇区进行软件写保护
- 硬件写保护：受保护区域大小由五个非易失性位（BP0、BP1、BP2、BP3和TB）定义
- 可按需提供额外的智能保护
电子签名：
- JEDEC标准2字节签名（BA17h）
- 唯一ID代码（UID）：17个只读字节，包括：
  - 两个额外的扩展设备ID（EDID）字节，用于识别设备工厂选项
  - 定制工厂数据（14字节）
每个扇区最少100,000次擦除循环
数据保留时间超过20年
封装符合JEDEC标准，均符合RoHS要求：
- W7 = W - PDFN - 8 6mm × 5mm（MLP8 6mm × 5mm）
- W9 = W - PDFN - 8 8mm × 6mm（MLP8 8mm × 6mm）
- 12 = T - PBGA - 24 b 056mm × 8mm
- 14 = T - PBGA - 24 b 056mm × 8mm，4×6球阵列
- SF = SOP2 - 16 300mils体宽（SO16W）
- SE = SOP2 - 8 208mils体宽（SO8W）

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	64Mbit
	时钟频率(fc)	108MHz
	工作电压	2.7V~3.6V
	待机电流	-
	擦写寿命	100000次

	属性	参数值
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	200us
	块擦除时间(tBE)	-
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-
	功能特性	-

N25Q064A13ESED0F

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商品特性

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