Name: micron(镁光) TE28F256P33BFA
Brand: micron(镁光)
SKU: C19282356
Price: 48.15 CNY
Availability: OutOfStock

高性能：
- Easy BGA初始访问时间为95ns
- TSOP初始访问时间为105ns
- 16字异步页读取模式为25ns
- 零等待状态下Easy BGA为52MHz，17ns时钟到数据输出同步突发读取模式
- 突发模式有4、8、16字和连续字选项
使用512字缓冲区，以2.0MB/s（典型值）进行缓冲增强工厂编程
使用512字缓冲区，以1.14MB/s（典型值）进行3.0V缓冲编程
架构：
- 多级单元技术：以最低成本实现最高密度
- 非对称块架构
- 四个32KB参数块：顶部或底部配置
- 128KB主块
- 空白检查以验证擦除块
电压和功率：
- VCC（核心）电压：2.3V - 3.6V
- VCCO（I/O）电压：2.3V - 3.6V
- 256Mbit的待机电流：65μA（典型值）
- 52MHz下连续同步读取电流：21mA（典型值）/24mA（最大值）
安全性：
- 一次性可编程寄存器：
  - 64个唯一的工厂设备标识符位
  - 2112个用户可编程OTP位
  - 绝对写保护：VPP = VSS
  - 电源转换擦除/编程锁定
  - 单个零延迟块锁定
  - 单个块锁定功能
  - 密码访问功能
软件：
- 25μs（典型值）编程暂停
- 25μs（典型值）擦除暂停
- Numonyx™闪存数据集成器经过优化
- 兼容基本命令集和扩展功能接口命令集
- 支持通用闪存接口
密度和封装：
- 56引脚TSOP封装（仅256Mbit）
- 64球Easy BGA封装（256、512Mbit）
- 16位宽数据总线
质量和可靠性：
- 符合JESD47E标准
- 工作温度：-40°C ~ +85°C
- 每个块最少100,000次擦除循环
- 采用65nm ETOX™ X工艺技术

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	Parallel
	存储容量	256Mbit
	时钟频率(fc)	40MHz

	属性	参数值
	工作电压	2.3V~3.6V
	待机电流	65uA
	擦写寿命	100000次
	工作温度	-40℃~+85℃

TE28F256P33BFA

商品参数

商品特性

数据手册PDF