M29W160EB7AZA6F
M29W160EB7AZA6F
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- M29W160EB7AZA6F
- 商品编号
- C19284730
- 商品封装
- TFBGA-48(6x8)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 存储容量 | 16Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 块擦除时间(tBE) | 800ms@(64KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
M29W160ET/B（2Mb x8 或 1Mb x16）是一种非易失性器件，可进行读取、擦除和重新编程操作。这些操作可通过单一低电压（2.7 - 3.6V）电源实现。上电时，存储器默认进入读取模式，此时可像读取 ROM 或 EPROM 一样进行读取。该器件被划分为多个块，这些块可独立擦除，以便在擦除旧数据时保留有效数据。每个块可独立保护，以防止意外的编程或擦除命令修改存储器。编程和擦除命令通过存储器的命令接口写入。片上编程/擦除控制器简化了存储器的编程或擦除过程。
商品特性
- 电源电压：
- VCC = 2.7 - 3.6V（编程、擦除、读取）
- 访问时间：70ns、90ns
- 编程时间：每字节/字 10μs（典型值）
- 存储器组织：
- 3 个参数块和 31 个主块
- 1 个引导块（顶部或底部位置）
- 编程/擦除控制器：
- 嵌入式字节/字编程算法
- 擦除暂停和恢复功能
- 在擦除暂停操作期间可读取或编程另一个块
- 解锁旁路编程命令
- 快速缓冲/批量编程
- 临时块解锁保护模式
- 通用闪存接口：
- 64 位安全代码
- 低功耗：待机和自动模式
- 每个块 100,000 次编程/擦除循环
- 电子签名：
- 制造商代码：0020h
- 顶部器件代码 M29W160ET：22C4h
- 底部器件代码 M29W160EB：2249h
- 封装：
- 48 引脚 TSOP（N）12mm × 20mm
- 48 球 TFBGA（ZA）6mm × 8mm
- 64 球 FBGA（ZS）11mm × 13mm
- 提供汽车级部件