M45PE40-VMW6TG TR

4-Mbit页可擦除串行闪存，支持字节修改，具备75 MHz SPI总线接口

品牌名称: micron(镁光)
商品型号: M45PE40-VMW6TG TR
商品编号: C19279695
商品封装: SO-8
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

M45PE40是一款4兆位（512千位x8位）的串行分页闪存，可通过高速SPI兼容总线访问。该存储器可使用页写入或页编程指令，一次写入或编程1至256字节。页写入指令包括一个集成的页擦除周期，随后是一个页编程周期。该存储器被组织为8个扇区，每个扇区包含256页。每页宽度为256字节。因此，整个存储器可视为由2048页或524288字节组成。该存储器可使用页擦除指令一次擦除一页，或使用扇区擦除指令一次擦除一个扇区。

商品特性

兼容SPI总线的串行接口
75 MHz时钟速率（最大值）
2.7 V至3.6 V单电源电压
4兆位页可擦除闪存
页大小：256字节
页写入时间11 ms（典型值）
页编程时间0.8 ms（典型值）
页擦除时间10 ms（典型值）
扇区擦除（64千字节）
底部扇区（64千字节）的硬件写保护
电子签名
JEDEC标准双字节签名（4013h）
仅在T9HX工艺中，应客户要求可提供16字节的唯一ID代码（UID）
深度掉电模式1 μA（典型值）
超过100000次写入周期
超过20年的数据保留期
ECOPACK（符合RoHS标准）
VFQFPN8（MP）6×5 mm（MLP8）
SO8W（MW）208密耳宽
SO8N（MN）150密耳宽

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	4Mbit
	时钟频率(fc)	75MHz
	工作电压	2.7V~3.6V

	属性	参数值
	待机电流	50uA
	擦写寿命	100000次
	页写入时间(Tpp)	800us
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-40℃~+85℃