M29W128GL70ZS3F TR
128Mb 3V 嵌入式并行 NOR 闪存
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- M29W128GL70ZS3F TR
- 商品编号
- C19276696
- 商品封装
- FBGA-64(11x13)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 存储容量 | 128Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 写周期时间(Tw) | 70ns | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品特性
- 电源电压:
- VCC = 2.7 - 3.6V(编程、擦除、读取)
- VCCQ = 1.65 - 3.6V(I/O缓冲器)
- VPPH = 12V,用于快速编程(可选)
- 异步随机/页读取
- 页大小:8字或16字节
- 页访问时间:25、30ns
- 随机访问时间:60ns、70ns、80ns
- 快速编程命令:32字(64字节)写缓冲器
- 增强型缓冲编程命令:256字
- 编程时间:
- 每字节/字典型值为16μs
- 芯片编程时间:使用VPPH时为5s,不使用VPPH时为8s
- 内存组织:统一块,128个主块,每个128K字节或64K字
- 编程/擦除控制器
- 嵌入式字节/字编程算法
- 编程/擦除暂停和恢复功能
- 在编程暂停操作期间可从任何块读取
- 在擦除暂停操作期间可读取或编程另一个块
- 解锁旁路、块擦除、芯片擦除、写入缓冲器、增强型缓冲编程命令
- 快速缓冲/批量编程
- 快速块/芯片擦除
- VPP/WP#引脚保护
- 无论块保护设置如何,均可保护第一个或最后一个块
- 软件保护:
- 易失性保护
- 非易失性保护
- 密码保护
- 扩展内存块:
- 128字(256字节)内存块,用于永久、安全识别
- 通用闪存接口
- 64位安全代码
- 低功耗:待机和自动模式
- 每个块至少100,000次编程/擦除循环
- RoHS兼容封装:
- 56引脚TSOP(N),14mm×20mm
- 64球TBGA(ZA),10mm×13mm
- 64球FBGA(ZS),11mm×13mm
- 电子签名:
- 制造商代码:0020h
- M29W128GH统一,最后一个块由VPP/WP#保护:227Eh + 2221h + 2201h
- M29W128GL统一,第一个块由VPP/WP#保护:227Eh + 2221h + 2200h
- 汽车设备级温度:-40°C ~ +125°C(汽车级认证)
- MT28F400B3WG-8 B
- M29W640GL7AZF6E
- RC48F4400P0VB00A
- JR28F032M29EWHA
- M25PX80-VMN3TPB
- N25Q128A13ESFC0G
- M29W640GL70ZF3F
- N25Q064A13ESE40E
- M29W400DT70N6E
- JS28F640P30BF75D
- JS28F256P30T95A
- M45PE40-VMW6TG TR
- PC48F4400P0VB00A
- PZ28F064M29EWLA
- RC28F320J3F75A
- RC28F128J3F75B TR
- TE28F128P33T85A
- PC28F00AG18FF TR
- N25Q512A13G12A0F TR
- M29W640GT60ZA6E
- MHQ0402P1N0BT000
- X-5735-LW350-SP-R
- AT27C256R-12JI
- C1206C334M5REC
- ERB1885C2E1R5CDX1J
- ERD-S1TJ9R1V
- MCR100JZHF30R1
- T491A335K004ZT7280
- 15PA90-5BK
- 2M620MS064-NF10
- 5VTP 6.3-R
- A22L-GA-T2-01M
- C907U309CZNDBAWL35
- DSC1121AI2-010.0000
- ERA-14EB271U
- GRM1886T1H8R1DD01D
- GRM2195C2A1R6CD01D
- 3500-182K
- 54102-S0809LF
- 86840-412HLF
- C0603JB1A683M030BC
