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FH3030G3B
2个N沟道 耐压:30V 电流:28A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH3030G3B
- 商品编号
- C19273276
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 19.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
FH3030G3B采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V；漏极电流（ID） = 28A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 8.5 mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 10 mΩ（典型值）
- 高密度单元设计，实现超低Rdson
- 对雪崩电压和电流进行全面表征
- 具有高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
应用领域
- 电机驱动器
- 功率开关应用
- 计算机中的DC/DC转换器
- 液晶电视电器