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YFW2N65AD
650V N沟道增强型MOSFET
- 描述
- 特性：快速开关。 低导通电阻。 低栅极电荷。 100%单脉冲雪崩能量测试。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
- 品牌名称
- YFW(佑风微)
- 商品型号
- YFW2N65AD
- 商品编号
- C19273111
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45396克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 295pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 32pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
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