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YFW6N70AF
700V N沟道增强型MOSFET
- 描述
- 特性：快速开关。 低导通电阻。 低栅极电荷。 100%单脉冲雪崩能量测试。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
- 品牌名称
- YFW(佑风微)
- 商品型号
- YFW6N70AF
- 商品编号
- C19273141
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.3808克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 891pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.1pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品概述
MDT20P04D采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -40 V，ID = -20 A
- 在VGS = -10 V时，RDS(ON) < 35 mΩ；在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) < 45 mΩ
- 高密度单元设计，降低Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高EAS，稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
应用领域
- 电源开关应用-硬开关和高频电路、不间断电源