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IQE046N08LM5ATMA1
1个N沟道 耐压:80V 电流:99A
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- 描述
- 特性：针对高性能开关电源进行优化，例如同步整流。 N沟道，逻辑电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的热阻性能。 100%经过雪崩测试。 无铅镀铅，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准，无卤素
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IQE046N08LM5ATMA1
- 商品编号
- C19268349
- 商品封装
- TSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 99A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
商品特性
- 针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流
- N沟道、逻辑电平
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- 出色的热阻性能
- 100% 经过雪崩测试
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61249 - 2 - 21 标准无卤素
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