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IPW95R310PFD7XKSA1
IPW95R310PFD7XKSA1
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPW95R310PFD7XKSA1
- 商品编号
- C19268350
- 商品封装
- PG-TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 950V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 310mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.765nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 23pF |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 集成超快体二极管
- 一流的反向恢复电荷Qrr
- 一流的品质因数RDS(on) * Eoss,降低了Qg、Ciss和Coss
- 一流的3V V(GS)th,且V(GS)th变化最小,仅为± 0.5 V
- 集成快速体二极管
- 一流的CoolMOSTM品质和可靠性
- 完全优化的产品组合
- 通孔(THD)和表面贴装(SMD)封装中一流的RDS(on)
- 静电放电(ESD)保护至少达到2级(人体模型HBM)
应用领域
- 适用于硬开关和软开关拓扑
- 针对LLC和零电压开关(ZVS)拓扑的使用进行了优化
- 用于照明和工业开关电源(SMPS)中的功率因数校正(PFC)和LLC应用
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