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NCE1216-VB
1个P沟道 耐压:30V
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型功率MOSFET，采用Trench技术，适用于各种电路和模块，特别适合在有限空间内进行功率控制。QFN6(2X2)；P—Channel沟道,-30V；-10A；RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.4~-1V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NCE1216-VB
- 商品编号
- C19190218
- 商品封装
- QFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.019克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |