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AON6788-VB
1个N沟道 耐压:30V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，具有较高的漏极电压和漏极电流能力，以及低阈值电压和低开启电阻的特性。采用Trench技术制造，具有优良的性能稳定性和可靠性。适用于小型电路设计，有利于节省空间。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,30V；120A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
AON6788-VB商品编号
C19190224商品封装
QFN-8(5x6)包装方式
编带
商品毛重
0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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