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NSi6651ASC-DSWR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NSi6651ASC-DSWR

NSi6651ASC-DSWR

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描述
NSI66x1A 是一款单通道增强型隔离式智能栅极驱动器,可在众多应用中驱动 IGBT 和 SiC MOSFET。它能够提供和吸收 10A 的峰值电流。150kV/μs 的最小共模瞬态抗扰度(CMTI)保障了系统的稳健性
商品型号
NSi6651ASC-DSWR
商品编号
C19188503
商品封装
SOP-16-300mil​
包装方式
编带
商品毛重
1.519444克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录隔离式栅极驱动器
隔离电压(Vrms)5700
通道数1
输入侧工作电压3V~5.5V
拉电流(IOH)11A
灌电流(IOL)12A
属性参数值
工作温度-40℃~+125℃@(Ta)
传播延迟 tpLH110ns
传播延迟 tpHL110ns
CMTI(kV/us)150kV/us
驱动侧工作电压13V~32V

商品概述

NSI66x1A是一款单通道增强型隔离式智能栅极驱动器,可在多种应用中驱动IGBT和SiC MOSFET。它能够提供和吸收10A的峰值电流。150kV/μs的最低共模瞬态抗扰度(CMTI)确保了系统的稳健性。 NSI66x1A具备关键保护特性,如米勒钳位、退饱和(DESAT)、欠压锁定(UVLO)和软关断。UVLO和短路故障通过独立引脚报告。主动短路保护(ASC)功能旨在在紧急情况下强制输出开启,支持系统故障管理。

商品特性

  • 5.7kV_RMS耐受隔离电压
  • 可驱动最高2121V_pk的SiC MOSFET和IGBT
  • 驱动器侧电源电压:带UVLO功能,最高可达32V
  • 10A峰值源极和漏极输出电流
  • 高CMTI:±150kV/μs
  • DESAT 200ns快速响应时间
  • 通过FLT和RDY引脚监控设备状态
  • 典型传播延迟80ns
  • 400mA软关断电流
  • 最大脉冲宽度失真30ns
  • 内部米勒钳位
  • 主动短路保护
  • 工作环境温度:-40℃~125℃
  • 符合RoHS和REACH标准
  • 无铅元件,适用于260℃、MSL2的无铅焊接曲线

应用领域

  • 隔离式IGBT/SiC MOSFET栅极驱动器
  • 混合动力汽车/电动汽车的车载充电器和DC/DC转换器
  • 工业电机驱动器和太阳能逆变器
  • 不间断电源(UPS)和电源

数据手册PDF

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(1000个/圆盘,最小起订量 1 个)
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