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FOD3182-C5L0实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FOD3182-C5L0

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描述
FOD3182是具有3A输出电流,高速MOSFET栅极驱动光耦合器。它由铝砷化镓(AlGaAs)发光二极管组成,该二极管与具有PMOS和NMOS输出功率晶体管集成电路功率级的CMOS感测器进行光耦合。非常适用于等离子显示屏(PDPs),电动机用逆变器控制,以及高性能DC/DC转换器中采用的高频功率驱动MOSFETS。
品牌名称
KTP(科泰普)
商品型号
FOD3182-C5L0
商品编号
C19185370
商品封装
SMD-8P​
包装方式
编带
商品毛重
0.783克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录逻辑输出光耦
输入类型DC
工作电压10V~30V
隔离电压(Vrms)5kV
CMTI(kV/us)50kV/us
传输速率-
通道数1
工作温度-40℃~+100℃
传播延迟 tpLH210ns
属性参数值
传播延迟 tpHL210ns
输入阈值电流(FH)7.5mA
输出电流-
耗散功率(Pd)295mW
输出电压30V
正向压降(Vf)1.43V
直流反向耐压(Vr)5V
正向电流(If)16mA

商品概述

FOD3182是具有3A输出电流,高速MOSFET栅极驱动光耦合器。它由铝砷化镓(AlGaAs)发光二极管组成,该二极管与具有PMOS和NMOS输出功率晶体管集成电路功率级的CMOS感测器进行光耦合。非常适用于等离子显示屏(PDPs),电动机用逆变器控制,以及高性能DC/DC转换器中采用的高频功率驱动MOSFETS。

商品特性

  • VCM = 2000V时,具有50kV/μs(典型值)共模抑制特点的高抗噪能力
  • 保证工作温度范围为 - 40°C至 + 100°C
  • 3A峰值输出电流
  • 快速开关速度210ns(最大值)传播延迟A65ns最大脉宽失真度
  • 快速输出上升/下降时间提供较低的动态功耗
  • 250kHz最大开关速度
  • 宽VDD工作范围:10V至30V
  • 使用输出级的P沟道MOSFET可使输出电压摆幅接近供电轨(轨到轨输出)
  • 带滞回的欠压锁定保护(UVLO) - 优化用于驱动MOSFET

应用领域

  • 等离子显示屏
  • 高性能DC/DC转换器
  • 高性能开关模式电源
  • 高性能不间断电源
  • 隔离功率MOSFET栅极驱动

数据手册PDF