CY7C244-45WC

CY7C243和CY7C244是高性能的4K x 8 CMOS可编程只读存储器（PROM）。CY7C243和CY7C244分别采用300密耳宽和600密耳宽的封装。可重编程的封装配备有擦除窗口。当暴露在紫外线下时，这些PROM会被擦除，然后可以重新编程。存储单元采用成熟的EPROM浮栅技术和字节级智能编程算法。CY7C243和CY7C244可直接替代双极型器件，具有功耗更低、性能更优和编程良率更高的优点。EPROM单元的超电压仅需12.5V，低电流要求允许进行成组编程。每个存储单元在封装前都会进行编程、擦除和反复测试，以确保每个存储位置都能100%测试。每个PROM还会进行交流性能测试，以保证客户编程后产品能满足直流和交流规格限制。读取操作通过在CS1（上划线）上施加有效低电平信号和在CS2上施加有效高电平信号来完成。地址线（A0 - A11）所寻址的存储单元内容将在输出线（O0 - O7）上可用。

• 采用CMOS技术，实现最佳速度/功率比
• 配备窗口，可进行重编程
• 高速：20 ns（商用），25 ns
• 低功耗
• 550 mW（商用）
• 660 mW
• EPROM技术，100%可编程
• 提供300密耳或600密耳封装
• 5V ± 10% VCC，商用
• 能够承受大于2001V的静电放电
• TTL兼容的输入/输出
• 可直接替代双极型PROM