CY27C256T-55ZI

CY27C256是一款高性能的32768字×8位CMOS EPROM。当禁用（CE为高电平）时，CY27C256会自动进入低功耗待机模式。CY27C256采用行业标准的600密耳DIP、PLCC和TSOP封装。CY27C256也有配备擦除窗口的CerDIP封装，以实现可重编程性。当暴露在紫外线下时，EPROM会被擦除并可重新编程。存储单元采用成熟的EPROM浮栅技术和字节级智能编程算法。CY27C256具有低功耗、卓越性能和高编程良率的优势。EPROM单元的超电压仅需12.5V，低电流要求允许进行批量编程。EPROM单元允许对每个存储位置进行100%测试，因为每个位置在封装前都会进行写入、擦除和反复操作。每个EPROM还会进行交流性能测试，以确保在客户编程后，产品能满足直流和交流规格限制。读取CY27C256时，需在OE和CE上施加有效低电平信号。地址线(A₀ - A₁₄)所寻址的存储位置的内容将在输出线(O₀ - O₇)上可用。

• 宽速度范围
• 45 ns至200 ns（商用）
• 低功耗
• 248 mW（商用）
• 低待机功耗
• 未选中时小于83 mW
• ±10%电源容差