温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BMSN3139
1个P沟道 耐压:20V 电流:2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 场效应管（MOS）
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BMSN3139
- 商品编号
- C19078062
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031783克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
CS70N30 ANR是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOSFET，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 3P (N)，符合RoHS标准。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -20V
- 漏极电流(ID) = -2A
- 栅源电压(VGS)为 -4.5V 时,导通电阻(RDS(ON))最大值为 135mΩ
- 栅源电压(VGS)为 -2.5V 时,导通电阻(RDS(ON))最大值为 190mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 负载开关
- 电源管理
其他推荐
- DSM7TA56106T
- EKY-101ELL680MJ16S
- RMF150-110S48
- RMF100-110S12W
- RMF100-110S24W
- RMF75-110S05
- RMF30-48S12
- RD6-24S12W
- URB2405YMD-10WR3
- URA2415YMD-10WR3
- WS3077EESA
- WS3077EEUA
- HFD4/3-LSR
- CXAF-008000-5-AL-00
- CXAF-008000-5-AL-01
- CXAF-008000-5-AL-02
- CXAF-008000-5-AL-03
- CXAF-008000-5-AL-04
- CXAF-010000-3-AL-02
- CXAF-012000-3-AL-08
- CXAF-012000-3-AL-12