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BMSN3139
1个P沟道 耐压:20V 电流:2A
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- 描述
- 场效应管（MOS）
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BMSN3139
- 商品编号
- C19078062
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031783克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@2.5V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 20 个)个
起订量：20 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交64单
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