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BNESD7551N2T5G
双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：3.5A@8/20us
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- 描述
- 特性：60瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 微型DFN1006封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BNESD7551N2T5G
- 商品编号
- C19077985
- 商品封装
- DFN1006-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.00982克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 20V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 3.5A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 60W@8/20us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压 | 7.5V | |
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.3pF |
商品特性
- 60瓦峰值脉冲功率（ip = 8/20微秒）
- 微型DFN1006封装
- 双向配置
- 固态硅雪崩技术
- 低钳位电压
- 低漏电流
- 低电容Cj = 典型值0.3 pF（IO到IO）
- 保护一条数据/电源线
- IEC 61000 - 4 - 2 接触±15 kV、空气±20 kV
- IEC 61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群）40A（5/50 ns）
- IEC 61000 - 4 - 5（浪涌）3.5A（8/20 μs）
应用领域
- 手机及配件
- 基于微处理器的设备
- 个人数字助理（PDA）
- 笔记本电脑、台式电脑和服务器
- 便携式仪器
优惠活动
购买数量
(10000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个10000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单