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NCE0106R
1个N沟道 耐压:100V 电流:9A
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- 描述
- N沟道，100V,6A,小于140毫欧，
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE0106R
- 商品编号
- C189607
- 商品封装
- SOT-223-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.243克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺特别针对降低导通电阻和提供卓越的开关性能进行了优化。这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理以及其他需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力的电池供电电路。
商品特性
- 当栅源电压VGS = -2.7 V时，漏源导通电阻RDS(ON) = 0.05 Ω
- 当栅源电压VGS = -4.5 V时，电流为 -6.5A，电压为 -20V，漏源导通电阻RDS(ON) = 0.035 Ω
- 高密度单元设计，实现极低的漏源导通电阻RDS(ON)
- 广泛使用的表面贴装封装，具备高功率和电流处理能力。
应用领域
-笔记本电脑电源管理-其他电池供电电路
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