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HM4454-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:10A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N型MOSFE，采用Trench技术，适用于低功耗电源模块、电动汽车控制、工业控制等领域。SOP8；N—Channel沟道,100V；10.4A；RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~4.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
HM4454-VB商品编号
C18795059商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.122克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@10V |
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