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GD32F350C6T6

停产 MCU、SPI NOR闪存、SPI NAND闪存

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: 特性：单电源电压:3.0V：电压范围2.7V~3.6V。2.5V：电压范围2.3V~3.6V。1.8V：电压范围1.65V~2.0V。高速时钟频率:3.0V：最大120MHz，用于30pF负载快速读取，双I/O数据传输高达240Mbits/s，四I/O数据传输高达480Mbits/s，连续读取支持8/16/32/64字节环绕。2.5V：最大104MHz，用于30pF负载快速读取，双I/O数据传输高达208Mbits/s，四I/O数据传输高达416Mbits/s，连续读取支持8/16/32/64字节环绕。1.8V：120MHz用于30pF负载快速读取，双I/O数据传输高达240Mbits/s，四I/O数据传输高达480Mbits/s，QPI数据传输高达480Mbits/s，连续读取支持8/16/32/64字节环绕
品牌名称: GigaDevice(兆易创新)
商品型号: GD32F350C6T6
商品编号: C187788
商品封装: LQFP-48(7x7)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.768克(g)

商品参数

商品特性

GD SPI NOR Flash：
- 3.0V：
  - 单电源电压，电压范围：2.7V~3.6V
  - 高速时钟频率，30pF负载下快速读取最高120MHz，双I/O数据传输最高240Mbits/s，四I/O数据传输最高480Mbits/s，支持8/16/32/64字节环绕连续读取
  - 灵活的内存架构，扇区大小4K字节，块大小32/64K字节
- 2.5V：
  - 单电源电压，电压范围：2.3V~3.6V
  - 高速时钟频率，30pF负载下快速读取最高104MHz，双I/O数据传输最高208Mbits/s，四I/O数据传输最高416Mbits/s，支持8/16/32/64字节环绕连续读取
  - 灵活的内存架构，扇区大小4K字节，块大小32/64K字节
- 1.8V：
  - 单电源电压，电压范围：1.65V~2.0V
  - 30pF负载下快速读取120MHz，双I/O数据传输最高240Mbits/s，四I/O数据传输最高480Mbits/s，QPI数据传输最高480Mbits/s，支持8/16/32/64字节环绕连续读取
  - 灵活的内存架构，扇区大小4K字节，块大小32/64K字节
GD SPI NAND Flash：
- 3.0V：
  - 电源电压：2.7V~3.6V
- 1.8V：
  - 高速时钟频率，30PF负载下快速读取120MHz，四I/O数据传输最高480Mbits/s
  - 灵活的内存架构：1Gbit & 2Gbit，2048字节页用于读写，备用区128字节，每块(128K + 8K)字节用于擦除；4Gbit & 8Gbit，4096字节页用于读写，备用区256字节，每块(256K + 16K)字节用于擦除
  - 增强的访问性能：1G & 2G有2K字节缓存用于快速随机读取，4G & 8G有4K字节缓存用于快速随机读取，支持缓存读取和缓存编程
  - NAND的高级特性：内部ECC选项，带ECC的按页内部数据移动，保证带ECC的良好块0

应用领域

嵌入式应用
消费应用
移动通信应用

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	属性	参数值
	商品目录	单片机(MCU/MPU/SOC)
	CPU内核	ARM Cortex-M4
	CPU最大主频	108MHz
	程序存储容量	32KB

	属性	参数值
	程序存储器类型	FLASH
	I/O数量	39
	ADC(位数)	12bit
	DAC(位数)	12bit