AP4405AENU2
AP4405AENU2
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- AKM
- 商品型号
- AP4405AENU2
- 商品编号
- C1870400
- 商品封装
- VQFN-16-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 监控和复位芯片 | |
| 芯片类型 | 电压检测器 | |
| 输出类型 | 推挽 | |
| 工作电压 | 1.2V~5.5V | |
| 复位有效电平 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压 | - | |
| 受监控电压数 | 1 | |
| 复位超时 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
AP4405AEN是一款超低功耗（0.010μA）的电压检测IC，集成了MOSFET开关和门逻辑电路。AP4405AEN的电压检测结果极性可选，且门逻辑可与输入检测电压分开控制。片上P沟道MOSFET和N沟道MOSFET的开关控制动作与电压检测结果配合，可实现负载开关功能。与采用分立逻辑和外部MOSFET的传统电压检测IC相比，AP4405AEN实现了同类产品中最佳的低功耗性能，且所需的PCB面积更小。该IC适用于多种应用，如锂离子电池和锂离子电容器的过充/过放保护、能量收集设备的电源管理功能以及可穿戴设备的负载开关。
商品特性
- 电源管理功能
- 电压检测电路
- 独立供电的控制逻辑
- 片上P沟道和N沟道MOSFET
- 宽检测电压范围
- 检测电压“高”（VDETH）：1.8 ~ 4.4V（可选）
- 检测电压“低”（VDETL）：1.7 ~ 4.3V（可选）
- 电压检测精度
- ±35mV（VDETH、VDETL > 3.0V）
- ±20mV（VDETH、VDETL ≤ 3.0V）
- 典型超低功耗0.010μA
- 典型响应时间0.5msec
- 导通电阻
- 片上P沟道MOSFET典型值1.3Ω
- 片上N沟道MOSFET典型值2.3Ω
- 工作温度 -40~+85°C
- 封装：16引脚HWQFN（3.0×3.0mm，间距0.5mm）
应用领域
- 锂离子电池和锂离子电容器的过充/过放保护
- 能量收集设备的电源管理功能
- 可穿戴设备的负载开关