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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AP4405AENTS

AP4405AENTS

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
品牌名称
AKM
商品型号
AP4405AENTS
商品编号
C1870402
商品封装
VQFN-16-EP(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录监控和复位芯片
芯片类型电压检测器
输出类型推挽
工作电压1.2V~5.5V
复位有效电平-
属性参数值
阈值电压-
受监控电压数1
复位超时-
工作温度-40℃~+85℃

商品概述

AP4405AEN是一款超低功耗(0.010μA)的电压检测IC,集成了MOSFET开关和门逻辑电路。AP4405AEN的电压检测结果极性可选,且门逻辑可与输入检测电压分开控制。片上P沟道MOSFET和N沟道MOSFET的开关控制动作与电压检测结果配合,可实现负载开关功能。与采用分立逻辑和外部MOSFET的传统电压检测IC相比,AP4405AEN实现了同类产品中最佳的低功耗性能,且所需的PCB面积更小。该IC适用于多种应用,如锂离子电池和锂离子电容器的过充/过放保护、能量收集设备的电源管理功能以及可穿戴设备的负载开关。

商品特性

  • 电源管理功能
  • 电压检测电路
  • 独立供电的控制逻辑
  • 片上P沟道和N沟道MOSFET
  • 宽检测电压范围
    • 检测电压“高”(VDETH):1.8 ~ 4.4V(可选)
    • 检测电压“低”(VDETL):1.7 ~ 4.3V(可选)
  • 电压检测精度
    • ±35mV(VDETH、VDETL > 3.0V)
    • ±20mV(VDETH、VDETL ≤ 3.0V)
  • 典型超低功耗0.010μA
  • 典型响应时间0.5msec
  • 导通电阻
    • 片上P沟道MOSFET典型值1.3Ω
    • 片上N沟道MOSFET典型值2.3Ω
  • 工作温度 -40~+85°C
  • 封装:16引脚HWQFN(3.0×3.0mm,间距0.5mm)

应用领域

  • 锂离子电池和锂离子电容器的过充/过放保护
  • 能量收集设备的电源管理功能
  • 可穿戴设备的负载开关

数据手册PDF